三星半导体宣告，经过构造创新，实现了鉴于MRAM（磁阻随机存取存储器）的内存内计算（In-Memory Computing），进一步拓展了三星的下一代低功耗人力智能芯片技艺的前沿范畴。

　　在惯例的计算体制中，内存中的数据要转嫁四处理芯片的数据计算单元中发展料理，关于带宽、时延请求十分高。

　　内存内计算则是一个新的计算形式，也可行叫做“存算一体化”，在内存中同一时间执行数据存储、数据计算料理，没有需往复搬动数据。

　　同一时间，内存网站中的数据料理所以高度并好的形式执行，因而提升功能的同一时间，还能大大下降功耗。

　　对照其它存储器，MRAM磁阻内存留运转速度、生命、量产方面都有显著优势，功耗也远低于惯例DRAM，要害是还具备非易失的特色，即断电不会丢失数据。

　　只是一直以来，MRAM磁阻内存不容易用于内存内计算，由于它在准则的内存内计算架构中没有办法发挥低功耗优势。

　　三星探讨团队设置了一个名为“电阻总和”（resistance sum）的新款内存内计算架构，取代准则的“电流总和”（current-sum）架构，成功开发了一个能演示内存内计算架构的MRAM阵列芯片，命名为“用于内存内计算的磁阻内存交叉阵列”（crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing）。

　　这一阵列成功解决了单个MRAM器件的小电阻难题，从而下降功耗，实现了鉴于MRAM的内存内计算。

　　依照三星的说法，在执行AI计算时，MRAM内存内计算可行做到98%的笔迹辩别成功率、93%的人脸辩别明确率。