三星将在年底公布 200 层 + NAND 闪存，数据传输速度提升 30%

2022-2-10 13:14| 发布者: wdb| 查看: 59| 评论: 0|原作者: [db:作者]|来自: [db:来源]

摘要: 三星将在年底公布 200 层 + NAND 闪存，数据传输速度提升 30%，更多理财信息关注我们。

原标题：三星将在年底公布 200 层 + NAND 闪存，数据传输速度提升 30%

品玩2月9日讯，据 businesskorea 报导，三星电子原计划在 2021 年末最初量产 176 层 NAND，但考量上市概况，推迟到了 2022 年第一季度。只是美国的美光曾经最初量产 176 层 NAND，业内人员预测，三星电子将加速 200 层以上 NAND 闪存在数量产的步伐，以夺回被美光夺走的技艺优先位置。

业内人员称，三星电子将在 128 层的单片存储器上叠加 96 层，公布 224 层的 NAND 闪存。与 176 层比较，224 层 NAND 闪存的制造效能和数据传输速度将提升 30%。

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