西部数据宣告，与铠侠结合开发的BiCS NAND闪存将映入第六代，堆叠层数达到162层，本年即投入量产。

　　日前的3D NAND闪存曾经纷纷堆到176层，美光当前愈是宣告全世界首个达到232层。

　　可是西数指明，自家的162层闪存单元大小更小，唯有68平方mm，小于竞品的69.6平方mm或69.3平方mm，因而存储密度更高，可行提供和竞品相同的单芯片容量。

　　西数显示，BiCS6 162层堆叠下，一块晶圆就能做到100TB容量，而日前唯有大约70TB。

　　功能方面，西数宣称本人具有最佳的电荷捕获（Charge Trap）型单元，功能可达60MB/s，比对手快了一半。

　　西数还预告了下下一代BiCS+闪存，堆叠超越200层，估计可带来60%的传输速度提高、15%的编程带宽提高、55%的晶圆容量提高，接下来接着一路堆叠，2032年左右将超越500层！

　　此外，西数在PPT上海列出了PLC闪存，但无全部细节信息。