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　　据报导，三星本周将向美国总统拜登展现其下一代3纳米芯片技艺，这类3纳米GAA工艺有望很快最初量产。美国总统拜登将在本周向访问三星平泽园区。

　　三星可能旨在说服拜登，让美国企业向其3纳米GAA工艺下定单。据报导，美国总统拜登将抵达首尔发展为期三天的访问，据韩联社报导，这一次访问将包括游览三星的平泽工厂，该工厂也是全球上第一大的芯片代工工厂，位于首尔以南约70千米处。除拜登外，据说三星副董事长李在镕也将陪同他游览，以展现下一代大范围制造进程。

　　几个月来，据报导，三星将最初大范围制造其3纳米Gate-All-Around（GAA）技艺，超越其4纳米节点，该节点用于大范围制造高通的骁龙8代。 三星将向拜登展现一款3纳米的芯片，以重申其代工能力超越台湾的台积电。

　　与三星的5纳米工艺比较，3纳米GAA的优势是庞大的，该企业显示，它可行使大小降低高达35%，同一时间提供30%的功能和50%的功率节省。这类3纳米GAA工艺很可能是为了对付台积电的3纳米节点，长久以来，这家台湾生产商一直是全世界代工市场上的主导厂家。

　　依据TrendForce提议的统算数据，台积电在2021年第四季度占据了全世界代工市场的52.1%，而排在第二位的三星在统一时代仅有18.3%的市场份额，惨重落后。之前的一份汇报提到，这家韩国生产商在其3纳米GAA工艺上陷入困境，由于据说良品率比其4纳米技艺更差。

　　假如三星没有办法提升这点良率，同一时间也没有办法声明其3纳米GAA工艺可行与台积电的3纳米晶圆相媲美，它可能没有办法得到高通等企业的定单。估计三星将很快让其领先进步的芯片技艺大范围投产，因而咱们将见到它在与台积电的竞争中的体现。