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机构:国产DRAM内存芯片和三星的技艺差距是5年

2022-6-20 09:53| 发布者: wdb| 查看: 32| 评论: 0|原作者: [db:作者]|来自: [db:来源]

摘要: 机构:国产DRAM内存芯片和三星的技艺差距是5年,更多数码科技资讯关注我们。

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  数字经济时期,芯片扮演着要紧角色。得益于能人集中、资产进级、政策支持等,我们国家的半导体资产正好蓬勃进行,其实不断拉近与领先进步地域、公司的差距。

  当前,韩国探讨机构OERI在汇报中称,预计韩企和华夏厂家在DRAM芯片的技艺差距已缩小至5年。

  详细来讲,三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级(1b或许说12nm)内存芯片,国产DRAM代表公司合肥长鑫本年的筹算则是第二代10nm(1y或许说16/17nm)。

  通常而言,DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。

  依照寻常节拍,国产内存芯片十足有机会进一步缩小差距,可日前有个相比棘手的难题在于,三星和SK海力士曾经为制造更领先进步的DRAM芯片导入了EUV(极紫外光刻)设施,而这对咱们来讲,临时还没法获取。

要害词 : 内存三星DRAMsk海力士DRAM芯片
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