IT之家6月20日信息，据BusinessKorea报导，三星电子正计划经过在未来三年内塑造3纳米GAA（Gate-all-around）工艺来追赶全球最大代工企业——台积电。

　　获悉，GAA是下一代工艺技艺，改良了半导体晶体管的构造，使栅极可行接近到晶体管的全部四面，而非是日前FinFET工艺的三面，GAA构造可行比FinFET工艺更精准地操控电流。

　　依据TrendForce的数据，在2021年第四季度，台积电占全世界代工市场的52.1%，远远超越三星电子的18.3%。

　　三星电子正押注于将GAA技艺利用于3纳米工艺，以追赶台积电。据报导，这家韩国半导体巨头在6月初将3纳米GAA工艺的晶圆用于试制造，成为全世界第全家运用GAA技艺的企业。三星期望经过技艺上的飞跃，迅速缩短与台积电的差距。3纳米工艺将半导体的功能和电池效能区别提升了15%和30%，同一时间与5纳米工艺比较，芯片面积降低了35%。

　　继本年上半年将GAA技艺利用于其3纳米工艺后，三星计划在2023年将其导入第二代3纳米芯片，并在2025年大范围制造鉴于GAA的2纳米芯片。台积电的策略是在本年下半年运用稳固的FinFET工艺映入3纳米半导体市场，而三星电子则押注于GAA技艺。

　　行家称，假如三星在鉴于GAA的3纳米工艺中确保了稳固的产量，它就可以成为代工市场的游戏准则改变者。台积电估计将从2纳米芯片最初导入GAA工艺，并在2026年左右发表第一种产物。关于三星电子来讲，未来三年将是一种要害时代。

　　最近，三星宣告，在未来五年内，将在半导体等要害产业投资共计450万亿韩元（约2.34万亿元国民币）。然则，三星在3纳米工艺方面碰到了阻碍。与三星一样，台积电在提升3纳米工艺的产量方面也有难题。

　　IT之家理解到，台积电本来计划从7月最初用3纳米技艺为英特尔和苹果大范围制造半导体，但在保证理想的产量方面碰到了难题。DigiTimes报导称，台积电在保证3纳米工艺的理想产量方面碰到了难题，因而屡次修改其技艺路线图。

　　三星电子也面对着相似的概况，3纳米工艺的试制造用晶圆曾经投入运用，但源于产量低的难题，该企业一直在推迟宣告正规的大范围制造。现代车子证券的探讨主管RohKeun-chang说：“唯有三星电子为其7-nm或更领先进步的工艺保证充足的消费者，不然可能会加重投资者对三星电子未来业绩的焦虑。”