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关于芯片厂家而言,光刻机显得至关要紧,而ASML也在踊跃布置新的技艺。据外媒报导称,截止 2022 年第一季度,ASML已出货136个EUV体系,约曝光7000万个晶圆已曝光。
依照官方的说法,新款号的EUV光刻机体系 NXE:3600D将能达到93%的可用性,这将让其进一步挨近DUV光刻机(95%的可用性)。
数据显现,NXE:3600D体系每小时可制造160个晶圆 (wph),速度为30mJ/厘米,这比 NXE:3400C高18%。二正好开发的 NXE:3800E体系开始将用30mJ/厘米的速度提供大过195wph的产能,并在吞吐量进级后达到220wph。
据推荐,NXE:3600E 将在像差、重叠和吞吐量方面发展渐进式光学改良,而在0.33 NA的EUV光刻机范畴,ASML路线图包括到2025年左右公布吞吐量约为220wph的NXE:4000F。
关于0.55 NA的光刻机,须要革新的不仅是其光刻机体系。同一时间还须要在光掩模、光刻胶叠层和图案转嫁工艺等方面齐头并进,才能让新设施利用成为可能。
依据ASML 在一季度财务会议上披露的数据,企业的指标是在2022年出货55台EUV体系,并到2025年实现(最多)90台用具的计划。ASML同一时间还承认, 90台可能超越2025年的实质要求,只是它们将其描画为为满足2030年1万亿美元半导体产业要求所做出的庞大努力。
依照此前的说法,ASML正好研发新型光刻机,价格多达4亿美元(约合26亿元国民币),双层客车大、重超200吨。原型机估计2023年上半年完工,2025年初次投入运用,2026年到2030年主力出货。
该款机器应当指的便是High-NA EXE:5200(0.55NA),Intel是全世界第一种下单的企业。所谓High-NA也便是高数值孔径,2nm以后的节点都得依赖它实现。
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