全球数码讯 6月23日上午信息，据韩联社报导，三星估计将于下周宣告量产3nm芯片。这意指着该企业至少在宣告时间上将优先台积电，后者估计将在本年下半年最初制造3nm芯片。

　　与三星的5nm工艺（用于骁龙 888 和 Exynos 2100）比较，三星的3nm节点将带来35%的面积降低、30% 的功能提高或 50% 的功耗下降。

　　这将经过变换到晶体管的全角度栅极 （GAA） 设置来实现。这是 FinFET 鳍式场效应晶体管以后的下一步，由于它应允代工厂缩短晶体管，而不会损伤其承载电流的能力。

　　新工艺第一大的担心是产量。昨年10月，三星显示其3nm工艺的良率“正好挨近与4nm工艺类似的水准”。尽管该企业从未推出官方数据，但剖析师以为，三星的4nm节点遭到良率难题的困扰。

　　美国总统拜登上个月游览了三星位于平泽的工厂，参与了三星3nm技艺的演示。昨年有传言称，该企业可能会投资100亿美元在美国德克萨斯州构建全家3nm代工厂。该投资已增至170亿美元，该工厂估计将于2024年最初运营。