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　　7 月 7 日信息，据海外媒体报导，三星电子 6 月 30 日在官网宣告，它们采纳全环绕栅极晶体管架构的 3nm 制程工艺，已在当日最初初步制造芯片，先于台积电采纳 3nm 工艺代工晶圆。

　　日前距离三星电子宣告初步制造已有一周的时间，外媒在报导中，也给出了它们 3nm 制程工艺的更多消息。

　　外媒全新的报导显现，三星电子 3nm 制程工艺的首家消费者，将是国家内部的全家专用集成电路利用企业，只是它们并没有披露企业的详细名称。

　　外媒在报导中还提到，作为三星电子晶圆代工第一大消费者的高通，也曾经预订了 3nm 工艺的产能。信息人员显露，依据两家企业完成的合同，高通是随时都可行请求三星采纳这一工艺为它们代工芯片。

　　不同于 7nm、5nm 等工艺所采纳的鳍式场效应晶体管（FinFET）架构，三星电子的 3nm 制程工艺，是首先采纳全环绕栅极晶体管架构。三星电子在官网上显示，同 5nm 工艺比较，它们的第一代 3nm 制程工艺所代工的芯片，功耗下降 45%，功能提高 23%，芯片面积降低 16%。

　　三星电子在晶圆代工范畴的竞争对手台积电，日前也在推行 3nm 工艺的量产事情，它们是计划在本年下半年量产，它们的 3nm 工艺，仍接着采纳鳍式场效应晶体管架构。