据华夏科学院上海微体系与消息技艺探讨所信息，该所探讨员宋志棠、王浩敏构成结合探讨团队，初次采纳GNR边缘接近制备出日前全球上最小大小的相变存储单元器件。

　　7月18日，相干探讨效果以《经过石墨烯纳米带边界接近实现相变存储器编程功耗最小化》（Minimizing the progra毫米ing power of phase change memory by using graphene nanoribbon edge-contact）为题，在线发表在《领先进步科学》上。

　　据理解，当今数据制造表现爆炸式增添，惯例的冯·诺依曼计算架构已成为未来接着提高计算体系功能的最重要的技艺阻碍。

　　而相变随机存取存储器（PCRAM）可行联合存储和计算功效，是突破冯·诺依曼计算框架阻碍的理想路径抉择。

　　PCRAM具备非易失性、编程速度快和重复生命长等优点，但此中相变资料与加热电极之中的接近面积较大，形成相变存储器操作功耗较高，如何进一步下降功耗成为相变存储器未来进行面对的第一大挑战之一。

　　探讨团队采纳石墨烯边界作为刀片电极来接近相变资料，可实现万次以上的重复生命。

　　当GNR宽度下降至3nm，其横截面积为1nm2，RESET电流下降为0.9 μA，写入能耗低至~53.7 fJ。该功耗比日前最领先进步制程制备的单元器件低近两个数量级，差不多是由碳纳米管裂缝（CNT-gap）维持的原最小功耗全球记录的一半。

　　华夏科学院称，这是日前世界上初次采纳GNR边缘接近实现极限大小的高功能相变存储单元，器件大小挨近相变存储技艺的缩放极限。该新款相变存储单元的成功研制代表了PCRAM在低功耗下执行逻辑运算的进步，为未来内存计算开辟了新的技艺路径。

　　采纳GNR边缘接近制备出日前全球上最小大小的相变存储单元器件（a）相变存储单元构造示意图；（b）功耗与接近面积的关连。

　　器件重复生命的偏压极性依赖性。（a）测量设计示意图；（b）~3 nm 宽 GNR 边界电极相变存储单元在不同电压极性下的重复生命。