转自：华夏经营网

　　本报记者 秦枭 北京报导

　　半导体资料日前曾经进行至第三代，从惯例Si（硅）功率器件IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金氧半场效晶体管），到以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体。在这条赛道上，公司融资并购、厂家增资扩产、新玩家跑步入场、新名目不停涌现。与半导体市场全体“低迷”的现状不同，第三代半导体市场则焕发着别样活力。

　　近日，国度第三代半导体技艺创新中心（之下简单称呼“国创中心”）在北京举办第一届理事会首次会议，标记着国创中心正规迈入实质运转阶段。国创中心由科技部批复同意建造，旨在瞄准国度策略要求，统筹全中国优势力量，聚集第三代半导体要害焦点技艺和重要利用方向，推行各样相干创新主体和创新因素有用协同，输出高品质科技创新效果，培养进行新动能，推进我们国家第三代半导体资产创新能力全体跃升。获悉，在第三代半导体范畴，我们国家具有不逊色于欧美的专利技艺，甚而在少许范畴还显露了“换道超车”的概况。

　　多位长久关心第三代半导体进行的不业余人员对《华夏经营报》记者显示，第三代半导体，指的所以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体资料。新燃料车、光伏、风电等新兴范畴，皆是我们国家要点进行的资产。随着下游要求市场的持续扩大，将拉动第三代半导体市场产值不停增添，国产替代提速推行。

　　扩产发展时

　　近年，第三代半导体在若干范畴崭露头角。以碳化硅、氮化镓为主的第三代化合物半导体已然成为资产端、投资界的宠儿，第三代半导体资料与前两代半导体资料比较，其第一大的优势是较宽的禁带宽度，更符合于制作高温、高频、抗辐射及大功率的电子器件。

　　TrendForce集邦征询剖析师曾佑鹏向记者显示，碳化硅功率元件下游市场中以车子为第一大利用，此外可再生燃料、产业市场亦差不多要紧，估计本年碳化硅功率元件市场范围将达到15.9亿美元，至2026年可攀升至53.0亿美元。氮化镓功率元件下游市场则以花费电子为主，数据中心与通讯以及延续的车子利用同样颇具潜力，估计本年氮化镓功率元件市场范围有望达到2.6亿美元，至2026年可成长至17.7亿美元。

　　依据Yole数据，估计到2023年，全世界碳化硅资料渗透率有望达到3.75%。估计到2025年，碳化硅器件市场范围将达到32亿美元，年均复合增添率超30%。

　　以新燃料车子为例，据TrendForce集邦征询探讨，为进一步提高电动车子能源功能，全世界各大车企已将眼光锁定在新一代碳化硅功率元件，并连续公布了多款装载相应产物的高功能车型。随着越来越多车企最初在电驱体系中引入碳化硅技艺，预估2022年车用碳化硅功率元件市场范围将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4 亿美元。

　　要求上涨以下，近期，如Wolfspeed、安森美等多家第三代半导体世界巨头竞相宣告了新建工厂计划。

　　Wolfspeed宣告将建设全球上第一大的碳化硅资料工厂，其目的即是将企业在美国东南部的北卡罗来纳州的碳化硅资料的产能提升10倍以上；安森美也同样如许，计划在2022年将碳化硅衬底产能提高4倍，其制造碳化硅器件的新厂于8月落成，该厂将使安森美到2022年底的碳化硅晶圆产能同比增添5倍。这两家企业均显示碳化硅下游要求昌盛，估计产能供不应求局势将持续，碳化硅营业有望持续为企业奉献营收。

　　除此之外，日本富士电机计划在2024年将下一代功率半导体产能提高至2020年的10倍左右；英飞凌估计斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建设第三个厂区，用于制造碳化硅和氮化镓功率半导体产物。

　　不但仅是扩产，对优质标的的并购也成为巨头厂家之中的主旋律。此中，ASM当前宣告采购LPE的全部畅通股，且双方已签定了合同；而安森美对GTAT、Qorvo对UnitedSiC的并购则已达成。

　　国家内部厂家迅速跟踪

　　世界巨头在忙于扩产之际，天岳领先进步（688234.SH）、晶盛机电（300316.SZ）、芯导科技（688230。 SH）等国家内部厂家也接踵跟踪。

　　此中，天岳领先进步全新披露的调研纪要显现，企业位于上海临港的上海天岳碳化硅半导体资料名目曾经成功封顶。天岳领先进步显示，企业将接着加速临港名目产能建造，估计导电型衬底大量量供货在上海工厂投产后将连续解放。此外，日前企业已经过车规级IATF16949体制的验证，并加速推进相应产物的消费者验证事业。

　　不但如许，在国度政策和资金扶持下，各位置政府掀起了第三代半导体投资热潮，日前已初步造成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大要点进行地域，北京、深圳、济南、保定等若干都市都有深入布置，政府也“置身事内”，塑造掩盖衬底、外延、芯片及器件、模组、封装检验以及设施和资料研发的第三代半导体全资产链生态。

　　曾佑鹏显示，华夏在新燃料车子、光伏储能、轨道交通、特高压、花费电子等下游利用市场引领全世界，未来这点末端设备的迭代进级均离不开第三代半导体的支撑。此外，相较于惯例硅基半导体，第三代半导体芯片制程对大小线宽、设置繁杂度的请求相对较轻，且部分设施比如光刻机、刻蚀机的精细化请求同样较轻，这非常有助于华夏在第三代半导体资料、设施、器件等步骤实现国产替代。

　　洛克资本合伙人李音临以为，国产替代是一直在发展的，日前国家内部的第三代半导体资产在衬底资料、外延、设置生产等各个步骤，均有对标国外巨头的公司。而本钱的下调，最重要的依靠生产工艺的效能提高，关于最擅长在曾经证实可以的范畴中降本增效的华夏公司来讲，该赛道曾经映入了最有益于华夏公司的阶段。

　　虽然如许，日前国家内部的第三代半导体仍存留少许短板。

　　曾佑鹏显示，华夏第三代半导体在技艺老练度、稳固量产能力、资产链配套等方面与国外还存留较大差距，比如电动车子主驱、特高压电网用碳化硅功率器件现阶段十足依赖进口，此外5G基站用的氮化镓射频器件仍缺少稳固可靠的产物供货能力。

　　方融科技顶级工程师、科技部国度科技行家周迪对记者显示，我们国家的第三代半导体资料上面还存留着众多短板。比如对资料探讨方面，也不如美日欧，产业高档产物利用不足，难以造成资产重复。同一时间还存留没有序竞争惨重的难题。

　　除此之外，日前第三代半导体的市场渗透率其实不算理想。

　　李音临向记者剖析道，日前，第三代半导体在悉数半导体利用市场中的渗透率其实不高，唯有5%左右；全世界半导体元器件市场范围约5000亿美元，但此中半导体资料唯有700亿美元，而此中5%运用了第三代半导体资料，也便是第三代半导体资料市场范围唯有35亿美元左右。而产业预测到2025年，全世界第三代半导体资料市场范围能突破52亿美元。第三代半导体日前渗透率低的原因，在于制作工艺繁杂导致的本钱高企，5年前碳化硅、氮化镓比较硅基器件价值贵了挨近8倍，此刻技艺进步本钱一步步下降，让两者价差缩短到了4倍以内，但依旧不便宜。本钱也是日前国家内部外第三代半导体产业的第一大短板。