IT之家6月29日信息，据BusinessKorea报导，三星电子将于6月30日最初批量制造鉴于全环绕栅极（GAA）技艺的3纳米半导体。

　　报导称，三星电子将于6月30日正规宣告大范围制造鉴于GAA的3纳米半导体。GAA晶体管构造优于日前的FinFET构造，由于它可行降低芯片大小和功耗。

　　假如信息属实的话，那末三星电子将抢先台积电和英特尔量产3纳米芯片，后两家企业区别计划在本年下半年和明年下半年最初大范围制造3纳米芯片。

　　本年早些时刻，少许产业观看家提议担忧，源于产量低的难题，三星电子可能推迟3纳米半导体的大范围制造。然则，这点担心被声明是全无依据的。

　　IT之家理解到，在竞争剧烈的3nm制程工艺方面，三星电子和台积电的技艺路线其实不相同，三星电子首先采纳全环绕栅极（GAA）晶体管，台积电则是接着采纳鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。三星电子之前曾显示，采纳全环绕栅极晶体管技艺的3nm制程工艺，同当前的鳍式场效应晶体管架构比较，功能将提高30%，能耗下降50%，逻辑面积效能提高超越45%。